勁過8Gen3? 高通 Snapdragon 8s Gen 4 處理器規格及跑分探究

 

去年高通為中高階市場製作 Snapdragon 8s Gen 3 流動平台，善用 8 系旗艦級美名增加產品吸引力，規格則屬 Snapdragon 8 Gen 3 弱化版，方便廠商銷售。

來到今年新晶片 Snapdragon 8s Gen 4 (SM8735)，由小米的 Redmi Turbo 4、Poco F7 率先打響頭砲，性能比前代有進步乃理所當然，然而市面上仍有不少產品採用前代真旗艦 Snapdragon 8 Gen 3，遇上 8s Gen 4 產品面世，作為消費者未必得知兩者實力高低，到底新一代弱化版能否超越前代高階?

有見及此，本文為大家深入比較三款8系處理器之規格及跑分成績，真正掌握實際分別以作出合適買機選擇。

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高通 Snapdragon 處理器超級懶人包

CPU、GPU、制程、代工

Qualcomm Snapdragon 8s Gen 4 (2025)
  • 1 x 3.2GHz Cortex X4
  • 3 x 3.0GHz Cortex A720
  • 2 x 2.8GHz Cortex A720
  • 2 x 2.02GHz Cortex A720
  • Adreno 825 GPU
  • 4nm 製程
  • 台積電 (TSMC) 代工
Qualcomm Snapdragon 8s Gen 3 (2024)
  • 1 x 3GHz Cortex X4
  • 4 x 2.8GHz Cortex A720
  • 3 x 2GHz Cortex A520
  • Adreno 735 GPU
  • 4nm 製程
  • 台積電 (TSMC) 代工
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 (2023)
  • 1 x 3.3GHz Cortex X4
  • 3 x 3.15GHz Cortex A720
  • 2 x 2.96GHz Cortex A720
  • 2 x 2.27GHz Cortex A520
  • Adreno 750 GPU
  • 4nm 製程
  • 台積電 (TSMC) 代工

(以上規格資訊不適於為 Samsung 獨家定制的 for Galaxy 版本)

 

Snapdragon 8s Gen 4 沿用 Snapdragon 8 Gen 3 之 CPU 架構並加以強化，續用 Cortex X4 超大核作先鋒同時，全面廢除 A520 小核心並改為 A720 大核心，字面規格以及成本在後者之上，實際效能分別則留待下文跑分成績交代。

不過，高通調低其他核心時脈以收縮差距，而且拒絕下放 Snapdragon 8 Elite 最新 Oryon 核心，從而維持 “s" 弱化版定位，刀法精準且合理。

對比前代 Snapdragon 8s Gen 3，性能升級相當顯著，除了廢除細核大幅提高運算能力，其他核心之時脈亦有所提升，進一步推高運算速度。

製程、代工廠相同，無須比較。與此同時，3nm 制程仍然由 Snapdragon 8 Elite 得天獨厚，成功進一步劃分真旗艦與弱化版之分野，期望來年下一代 8s 處理器會跟進。

Geekbench 6 跑分比較

Snapdragon 8s Gen 4 (Poco F7)
  • 單核: 2062
  • 多核: 6402
  • 來源
Snapdragon 8s Gen 4 (Nothing Phone (3))
  • 單核: 2166
  • 多核: 6900
  • 來源
Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy (Samsung Galaxy S24 Ultra)
  • 單核: 2279
  • 多核: 7076
  • 來源
Snapdragon 8 Gen 3 (Poco F7 Pro)
  • 單核: 2205
  • 多核: 6661
  • 來源
Snapdragon 8 Gen 3 (Sony Xperia 1 VI)
  • 單核: 2125
  • 多核: 6119
  • 來源
Snapdragon 8s Gen 3 (Poco F6)
  • 單核: 1986
  • 多核: 4883
  • 來源
Snapdragon 8 Elite (Xiaomi 15)
  • 單核: 3088
  • 多核: 9219
  • 來源

 

值得留意，Poco F7、Nothing Phone 3 多核得分出現五百之差，可能與廠商調校有關。與 Snapdragon 8 Gen 3 相比可說是難分難解，單核、多核成績相近，同屬前代旗艦水平，卻亞於 8 Gen 3 for Galaxy 破七千佳績。由此可見，改用全大核效益並非想像中般明顯。

GPU: 仍然不及 8 Gen 3

GPU 方面，雖然 Snapdragon 8s Gen 4 配備的 Adreno 825 型號數字高過 Snapdragon 8 Gen 3 的 Adreno 750，豈料高通暗中留一手，實際運算能力正好相反，弱化版終歸是弱化版，卻容易令消費者產生誤解。

實測數據最實際，使用 8s Gen 4 的 Poco F7 運行 3DMark Wild Life Extreme 得分低 Poco F7 Pro 接近五百分，反映兩者功力存在一定差距，同時呼應 “s" 弱化版定位。

即使未能追上前代旗艦，得分超過四千絕不遜色，完全拋離中階機常選用的 Snapdragon 7s Gen 3、MTK D7300 Ultra、Samsung Exynos 1580 處理器，該等處理器得分連一半都不如，遊戲體驗相差甚遠。與前代 8s Gen 3 比較，高通聲稱 GPU 性能大增 49%，從 Poco F6 得分3110足見進步顯著。

NPU

高通一向不公布手機處理器的 NPU 詳細規格或運算能力，只能夠透過官方宣傳的資料從旁推敲。官網聲稱 Snapdragon 8s Gen 4 的 AI 運算能力比上一代 Snapdragon 8s Gen 3 提升 44%，有助廠商與用戶應付日新月異的人工智能應用。

發熱情況

坊間有人稱 Snapdragon 8s Gen 4 出現發熱問題，讓8系小火龍重出江湖，某程度上證明台積電生產並非無敵。

GSMArena 的 Poco F7 評測一針見血道出發熱問題，原文節錄如下:

  • The Snapdragon 8s Gen 4 is definitely a powerful chip, but it also puts out a lot of heat.
  • Surprisingly, the F7 manages to mostly tame the heat without losing too much of its performance over time.
  • The phone’s surface gets really hot, making it uncomfortable to hold, which is not ideal, though.
  • Here are the surface temperatures as measured during stress testing the phone with 3D Mark. The frame gets uncomfortably hot after just 10min.

不但如此，另一廠商 Nothing 最新旗艦機 Nothing Phone (3) 同樣被批評有過熱問題，甚至拖低高負載時的性能表現，GSMArena 評測節錄如下:

  • The Snapdragon 8s Gen 4 is a fairly powerful chip, but it also generates a significant amount of heat.
  • The Nothing Phone (3) doesn’t do a particularly good job of cooling the chip.
  • The device aggressively thermal-throttles during stress testing, losing a significant portion of its peak performance.

從此可見，Snapdragon 8s Gen 4 過熱弊病並非個別廠商調校或散熱設計不良所致，很有可能是晶片本身先天不足，目前未知手機廠商能否透過軟件更新盡量改善情況。若有憂慮，不妨考慮其他處理器，畢竟過熱相當影響使用體驗及硬件壽命，而且不利遊戲表現。

其他規格

  • RAM: LPDDR5X (4800MHz)
  • 儲存記憶體: UFS 4.0
    • Poco F7 成功配備最新 UFS 4.1
  • 相機: 320MP
  • 5G: 最高 4.2Gbps
  • 連線: FastConnect 7900
    • Wi-Fi 7, 320MHz, 2×2 MIMO
    • Bluetooth 6.0

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